إذا كنت متابعًا حثيثًا للأخبار التقنية هذه الأيام، لديك علم جيد بالمشاكل التي تواجهها الشركات في توريد أشباه الموصلات الذي أثّر على القطاع التقني بالكامل. ومع ذلك لم تتوقف IBM وسامسونج عن الابتكار وأعلنا مؤخرًا عن تصميم جديد للرقائق الإلكترونية قد يُغير مستقبل تصنيع المعالجات للأبد.
في اليوم الأول من مؤتمر IEDM في سان فرانسيسكو الأميركية، كشفت الشركتان عن تصميم جديد لوضع الترانزستورات عموديًا على الشريحة.
وحتى هذا الوقت، تستخدم الشركات شرائح إلكترونية مصفوفة أفقيًا حيث توضع الترانزستورات بشكل مسطح على السيليكون، ثم يتدفق التيار الكهربائي من جانب إلى جانب.
وعلى النقيض من ذلك، فإن الترانزستورات العمودية (VTFET) تُكدّس عموديًا على بعضها البعض ويتدفق التيار عموديًا خلالها.
وفقًا لإعلان IBM وسامسونج، يتمتع هذا التصميم بميزتين. الأولى، أنه يسمح لهم بتجاوز العديد من قيود الأداء لتمديد قانون مور إلى ما هو أبعد من 1 نانومتر. والثانية الأكثر أهمية، هو أن التصميم يؤدي إلى تقليل إهدار الطاقة بفضل زيادة تدفق الكهرباء.
وتقدّر الشركتين أن تصميم VTFET سيؤدي إلى معالجات أسرع مرتين مع استهلاك طاقة أقل بنسبة 85% من المعالجات ذات تصميم FinFET. وتزعمان أيضًا أن تقنية الإنتاج هذه قد تسمح لنا يومًا ما بوجود هواتف ذكية يمكنها العمل لمدة أسبوع كامل قبل الحاجة لإعادة الشحن.
كما يساعد في أداء المهام التي تستهلك الكثير من الطاقة بكفاءة أعلى، مثل تعدين العملات المشفرة، لتُصبح أكثر كفاءة وأقل تأثيرًا على البيئة.
متى ستخرج أي منتجات بهذا التصميم؟ لا نعلم حتى الآن ولم تكشف أيًا من IBM أو سامسونج عن الموعد. ومع ذلك، ليست الشركات الوحيدة التي تحاول تجاوز حاجز 1 نانومتر.
فقد أعلنت إنتل في يوليو الماضي أنها تهدف للانتهاء من تصميم المعالجات على نطاق أنجستروم بحلول عام 2024. وذلك من خلال عقدة Intel 20A وترانزستورات RibbonFET.
قد يهمك أيضًا قراءة:
- معالج كوالكوم Snapdragon G3x يعد بأجهزة ألعاب محمولة قوية
- MediaTek Dimensity 9000 5G: أول معالج 4 نانو من TSMC
- مميزات معالج Snapdragon 8 Gen 1 من كوالكوم
- معالج M1 Max يُحقق ضعف أداء معالج M1
- مواصفات ومميزات معالجي Apple M1 Pro و M1 Max
- معالج Core i5-1135G7 يتفوق على Core i7-1165G7 في الأداء
- معالج Exynos 2200 يجلب تتبع الأشعة إلى ألعاب الموبايل
